Kioxia 和 WD 推出世界上最快的 3D NAND 内存

Kioxia 和 WD 推出世界上最快的 3D NAND 内存,

Kioxia 和 WD 推出世界上最快的 3D NAND 内存

Kioxia 和 Western Digital 推出了具有 218 个有源层的第 8 代 BiCS 3D NAND 存储器。 下一代 NAND 芯片将允许制造商使用更少的 3D NAND 芯片构建高性能存储设备。


联合开发的TLC NAND芯片容量为1TB（128GB），采用四平面架构以最大化内部并行性和性能，接口速度为3200MT/s（400MT顺序读/写速度）。MB/ ）。 Kioxia和Western Digital因此成为第一家生产输入输出速度为3200 MT/s的集成电路的3D NAND制造商。 那么他们是怎么得到的呢？ 第八代BiCS 3D NAND存储器采用了一种名为CBA（CMOS Bonded to Array）的创新架构，类似于长江存储广为人知的Xtacking技术。


NAND制造商声称他们最新的3D NAND解决方案具有业界最高的位密度以及业界最快的I/O速度。 同时，据称推出的第8代BiCS 3D TLC NAND可以在3D TLC和3D QLC两种模式下运行。 这意味着存储驱动器可用于高级高性能/大容量 SSD 和标准台式机 SSD。


新设计的芯片已经发布，但我们预计第一批产品不会马上到货。 由第 8 代 BiCS 3D NAND 驱动的固态硬盘预计将于 2024 年上市。